台积电2nm工艺将继续涨价!引入新技术工艺实现突破
2024-10-06 本站作者 【 字体:大 中 小 】
根据报道,台积电在2nm制程节点上取得了重大突破,将在生产中首次引入Gate-all-around FETsGAAFET晶体管技术。
此外,N2工艺还结合了NanoFlex技术,为芯片设计人员提供了前所未有的标准元件灵活性。相比于目前的N3E工艺,N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升,或在相同频率下将功耗降低25%至30%。更为令人在意的是,晶体管密度将提升15%,这标志着台积电在半导体技术领域的又一次飞跃。
报道中称,台积电在2nm工艺将继续涨价,每片晶圆超3万美元、达4/5nm两倍。
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