特尔将其的处理器发展模式称为“Tick-Tock”，“Tick-Tock”的原意是时钟走过一秒钟发出的“滴答”声响，因此也称为“钟摆”理论。按照Intel的计划，每两年进行一次架构大变动——“Tick”年实现制作工艺进步，“Tock”年实现架构更新。不幸的是在14nm向10nm提升的过程中，Intel在工艺上遭遇了难产，Tick-Tock策略因此停摆，14nm工艺将继续战三代。

说起Intel第四代处理器和第六代处理器的区别，就不得不提内存。第六代处理器终结了长达7年的DDR3内存标准，可以说DDR4内存的普及离不开Intel的大力推广。

新老平台DDR3与DDR4对比

DDR3与DDR4外观上有本质的区别,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在**的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。

接口位置同时也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近**。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。

DDR4最重要的提升当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。而电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DDR4的电压还会降得更低。

从内存带宽上考虑，似乎DDR4比DDR3高出不少。但是高频率高带宽在实际操作上优势并不明显。如果你是集显平台用户，那么集显性能DDR4双通道将比DDR3双通道提升较大；又或者你经常使用压缩软件，制作影片，DDR4内存可以很好的节约**时间。但你要指望DDR4内存能让你进入程序更快，游戏FPS更高，不太可能。再说电压，DDR4电压降至1.2V，功耗更低发热量更低，相应的稳定性会比DDR3更好。

新老平台功耗对比

我们以Intel 第四代旗舰i7 4790K与i7 6700K为例。i7 4790K的TDP为88W，而另人不解的是i7 6700K的TDP达到了91W。同为四核心八线程，14nm居然比22nm还要高3W。并且还未上市的i7 7700K功耗为95W。但在相同的TDP下，Kaby Lake处理器频率更高，性能自然会有提升。

其实CPU TDP仅仅值对应系列CPU的最终版本在满负荷(CPU 利用率为100%的理论上)可能会达到的最高散热热量，如果单从这一点认为六代处理器不如四代处理器未免有失偏颇。我们假设极端情景，i7 4790K与i7 6700K完成满载，电脑每天工作10小时，也就是10*3W=30W，一年也就是365*30W=10950，大约10度电的差别，以北京电价为例，仅有6块钱的电费差别。不过这只是极端情况，正常使用不可能一直满载，更别说每天满载10小时，所以新老平台功耗影响其实可以不必太过在意。